傳統(tǒng)顯微鏡方法 vs 弱吸收測(cè)量方法

傳統(tǒng)顯微鏡及成像系統(tǒng)，能夠直觀、便捷、低成本的快速篩查有明顯形貌的缺陷；而弱吸收測(cè)量方法，優(yōu)勢(shì)在于靈敏、精準(zhǔn)，能捕捉顯微鏡看不到的“隱患"，直接關(guān)聯(lián)材料在指定環(huán)境下使用的可靠性。在實(shí)際應(yīng)用中，通過(guò)顯微鏡排查形貌缺陷，弱吸收測(cè)量捕捉吸收型隱患，才能全面、精準(zhǔn)地完成光學(xué)材料表面微米級(jí)缺陷的表征，為材料研發(fā)和生產(chǎn)質(zhì)控提供更全面的支撐。

PCI弱吸收測(cè)試樣品缺陷案例

測(cè)試設(shè)備：

 

案例一：小尺寸缺陷測(cè)試

樣品基本參數(shù)：

缺陷尺寸：~φ3μm

基底材料：熔石英

是否鍍膜：否

1

2

測(cè)試數(shù)據(jù)解讀：上圖為小缺陷（~φ3μm）的PCI弱吸收測(cè)試結(jié)果，由于缺陷尺寸較小，PCI方法無(wú)法表征缺陷形貌，表征出的圖像尺寸（~40μm）為測(cè)試光斑大小。

案例二：較大尺寸缺陷測(cè)試

樣品基本參數(shù)：

缺陷尺寸：>φ100μm

基底材料：熔石英

是否鍍膜：是

1

2

測(cè)試數(shù)據(jù)解讀：上圖為較大缺陷（>φ100μm）的PCI弱吸收測(cè)試結(jié)果，與小缺陷測(cè)試結(jié)果不同，上圖可明顯看出缺陷形貌；同時(shí)中心吸收低，邊緣吸收高的情況為典型的膜層脫落現(xiàn)象。

案例三：多波長(zhǎng)共同作用下缺陷響應(yīng)值對(duì)比

樣品基本參數(shù)：

缺陷尺寸：~φ3μm

基底材料：熔石英

是否鍍膜：是

 

測(cè)試數(shù)據(jù)解讀：以上測(cè)試圖片表征了缺陷點(diǎn)分別在355nm，532nm激光作用下以及355nm和532nm激光共同作用下的吸收情況，基于以上測(cè)試結(jié)果，能夠定量分析在復(fù)雜環(huán)境下的缺陷情況。

在光學(xué)材料向高功率、高精度快速發(fā)展的今天，僅靠形貌檢測(cè)已難以滿(mǎn)足高端應(yīng)用場(chǎng)景的質(zhì)量要求。弱吸收測(cè)量以其超高靈敏度、對(duì)吸收型缺陷的精準(zhǔn)識(shí)別能力、以及對(duì)體內(nèi)缺陷的穿透檢測(cè)能力，成為了攻克 “隱形缺陷" 難題、保障器件長(zhǎng)期可靠性的核心手段。未來(lái)，我們將繼續(xù)深耕弱吸收測(cè)量技術(shù)的應(yīng)用場(chǎng)景拓展，結(jié)合更多典型案例，為大家拆解精準(zhǔn)、實(shí)用的檢測(cè)方案。也期待與行業(yè)伙伴攜手，以更精準(zhǔn)的缺陷檢測(cè)技術(shù)，推動(dòng)我國(guó)高端光學(xué)材料產(chǎn)業(yè)向高質(zhì)量、高性能邁進(jìn)！